国产存储芯片追赶速度惊人，NAND 差距约 1 年，DRAM 约 2 年，HBM 约 3 年
我看国产存储的这轮追赶，最值得关注的是三件事同时发生：产品代际在接近，制造路线在寻找突破，产能规模也在扩大。它们能否相互支撑，决定了追赶最终能走多远。
一年、两年、三年，代表不同阶段的追赶
据这篇报道转述，韩国半导体产业协会评估，中韩存储芯片的技术差距已缩小到 NAND 约一年、DRAM 约两年、HBM 约三年。此前，这一差距还普遍被认为在五年左右。
这些数字提供了一个方向判断，但不能直接理解为整体竞争力只差这么多年。报道中既有已发生的产品进展，也有未来规划，衡量口径需要分开看。
NAND 方面，三星和 SK 海力士在 2025 年开始生产 300 层产品，长江存储当时是 270 层。报道预计，长江存储将在 2027 年转向 400 层，届时差距可能压缩到约一年。“一年”的判断包含了对后续进展的预期。
DRAM 方面，报道以 DDR5 的生产时间作为参照：三星和 SK 海力士是 2023 年，长鑫存储是 2025 年。同时，长鑫已开始量产 LPDDR5X，并据称刚开始生产 LPDDR6。我的判断是，观察追赶速度，要看连续几代产品能否接续推出，单个产品的时间差只是一个切面。
HBM 的关键关口是良率与堆叠工艺
HBM 的追赶难度，在报道给出的良率上表现得最直接：长鑫刚开始 HBM3E 试生产，良率约为 25%，用于垂直连接内存堆叠的硅通孔技术仍待攻克。
试生产意味着进入了验证阶段，距离稳定、经济地批量交付还有工程问题要解决。我更关注良率能否持续提升，因为它决定了技术进展可以转化为多少实际产品。
报道还提到，长鑫在 G4 工艺的 HBM3E 堆叠中，借鉴了长江存储 X-Stacking 的思路，利用铜—铜混合键合缩短层间连接路径。
这个方向值得重视：当制程微缩受到约束，互连和堆叠架构也能提供性能提升的空间。不过，报道所说的无需依赖 EUV 也能构建有竞争力的 HBM 架构，不能理解为制造瓶颈已经消失。文中同时指出，国产 DUV 设备仍受投影镜头和光源等环节限制。
技术突破正在多个层面展开
除了堆叠，长鑫也在推进晶体管材料与工艺的改进。
据报道，其 G4 DRAM 工艺和 LPDDR5X 产品已经应用高介电常数金属栅极，也就是 HKMG 技术。通过调整栅极材料，减少漏电和能量损耗，为能效与速度提升创造条件。
报道进一步根据这些进展，以及下一代 15nm G5 工艺的开发，推测长鑫可能向更先进的 1a 节点迈进。这仍是推断，不能当作已经完成的节点升级。
我从中看到的，是国产存储正在同时推进材料、制程、互连和堆叠。追赶的速度，取决于这些环节能否协同成熟。
扩产决定规模，兑现能力决定竞争力
长鑫的扩产目标相当激进。按报道中的计划，到 2026 年底，三座 300 毫米 DRAM 晶圆厂合计月产能将达到 30 万片；报道另给出了同期 HBM 月产能约 5 万片的预期，但没有说明两者是否重叠，不宜直接相加。
上海和合肥的两座新厂投产后，长鑫月产能计划进一步提升至 60 万片。报道据此提出，其量产规模有望在 2030 年之前超过美光。这是一项目标与预测，实际兑现仍需观察。
长江存储同样在扩张。报道预计，其月产能到 2027 年初达到 30 万片，其中一部分用于 LPDDR；两座新厂投产后，到 2028 年增至 45 万至 50 万片。作为参照，文中给出的三星 NAND 月产能预期是到 2027 年底约 35 万片。
这里的时间点和产品构成都不同，不能仅凭晶圆片数就判断谁已领先。我的判断是，扩产给国产存储提供了改变产业格局的可能，而稳定良率、产品性能和有效产出，才会把这种可能变成实际竞争力。接下来值得持续跟踪的，就是这些规划兑现的速度。